Ryzen 8000 Granite Ridge, procesory AMD na bazie Zen 5, Ryzen 8000 Granite Ridge, Ryzen 8000, Granite Ridge,

AMD od lat rozwijało układy pamięci 3D V-Cache dla procesorów Ryzen

Oficjalnie wiemy już, że AMD, Intela i TSMC pogadają o chipletach 3D podczas sympozjum Hot Chips 33, które odbędzie się już 22 sierpnia, ale dla tych szczególnie zainteresowanych tematem mamy dziś coś specjalnego. Chociaż AMD dopiero kilka miesięcy temu oficjalnie powiedziało o tym, że rozwijało układy pamięci 3D V-Cache dla procesorów Ryzen, to ten „proceder” trwał tak naprawdę od dłuższego czasu.

Odkrył to Yuzo Fukuzaki z serwisu TechInsights, który na dodatek uzupełnił naszą obecną wiedzę na temat tego interesującego rozwiązania na powiększenie pamięci podręcznej procesora. Zdecydowanie najważniejszym odkryciem jest to, że na standardowym, dostępnym do kupienia procesorze Ryzen 9 5950X, firma zawarła specjalne punkty połączeń i nawet miejsce na tę dodatkową pamięć podręczną. Zaprojektowała więc swoiste podwaliny pod nadchodzącą technologię znacznie wcześniej, niż mogliśmy się w ogóle spodziewać.

Czytaj też: ADATA SE920 to wydajny zewnętrzny SSD na USB4, który zawstydza dyski NVMe

Do sieci wpadła rozległa analiza, wskazująca, że układy pamięci 3D V-Cache od AMD są rozwijane od lat

Dla przypomnienia AMD pokazało już owoc tego podejścia podczas wspomnianych targów Computex 2021. Układy pamięci 3D V-Cache trafiły wtedy na prototypowy układ 12-rdzeniowego procesora Ryzen 9 5900X, zapewniając każdemu blokowi CCX dodatkowe 64 MB pamięci podręcznej trzeciego poziomu (L3). Oznaczało to zasadniczo potrojenie pokładu L3 dla procesora, co w testach wykazało znacząco wzrost wydajności w grach, bo przełożyło na około 15% więcej klatek.

Wedle najnowszego odkrycia wspomniany Ryzen 9 5950X, którego schemat widzicie na zdjęciu powyżej, posiada szereg „kropek”, czyli miedzianych styków na krawędziach krzemowych matryc, do których normalnie trafiłaby pamięć podręczna 3D V-Cache. Połączenie tych układów w praktyce obejmowałoby stosowany powszechnie w produkcji układów scalonych 3D proces TSV, czyli through-silicon via, poprzez wiązanie hybrydowe, aby zabezpieczyć drugą warstwę układów pamięci podręcznej.

Czytaj też: Znamy TDP procesorów Intel Alder Lake-S i dobrych wieści nie mamy

Podejście TSV obejmuje miedź zamiast lutów, jeśli idzie o połączenia, co pozytywnie wpływa na układy pamięci SRAM, czyli te przeznaczone dla pamięci podręcznej, co znacznie zwiększa przepustowość i wydajność cieplną. Teraz robi się ciekawiej, bo na podstawie tego odkrycia firma TechInsights dokonała inżynierii wstecznej niektórych szczegółów dotyczących sposobu podłączenia pamięci podręcznej 3D V-Cache, tworząc spekulacyjny schemat połączenia między układami krzemowymi:

Czytaj też: Karta graficzna z chłodzeniem Noctua. Ponoć ASUS już rozpoczął nad nią prace

To wskazuje, że przyszłe procesory Ryzen będą z pewnością posiadały układy pamięci 3D V-Cache, które znacząco zwiększą ich wydajność. Lata rozwoju tej technologii przez AMD wreszcie muszą zostać przekute na rzeczywiste produkty, co dotknie nie tylko domniemanych procesorów na bazie Zen 3+, ale też z pewnością tych następnych na Zen 4 i dalej.