Najbardziej zaawansowane kości DRAM, DDR5 Samsunga, DRAM DDR5 Samsunga

Najbardziej zaawansowane kości DRAM DDR5 Samsunga już w produkcji

Samsung poinformował właśnie, że rozpoczął masową produkcję kości DRAM DDR5 z wykorzystaniem najbardziej zaawansowanego w całej branży 14-nanometrowego procesu technologicznego opartego na EUV. Co to oznacza? O tym poniżej i choć zalet tego podejścia jest całe mnóstwo, to nieświadomi konsumenci i tak tego nie doświadczą bezpośrednio, a poprzez stosowne moduły DDR5.

Tak zaawansowanych kości do pamięci operacyjnej nowej generacji jeszcze nie było

Warto jednak wiedzieć, że to, co siedzi pod aluminiowymi radiatorami z finezyjnym podświetleniem RGB, to nie jakieś tam magiczne „coś”, a po prostu głównie laminat z wlutowanymi kośćmi pamięci DRAM oraz (unikalnym dla nowej generacji DDR) układem pokładowego zasilania PMIC. DRAM są oczywiście w tym równaniu najważniejsze i to ich dotyczy najnowsze ogłoszenie Samsunga.

Czytaj też: [Aktualizacja] Wszystko co wiemy o Intel Alder Lake-S. Podsumowujemy informacje o Intel Core 12. generacji

Jesteśmy liderem na rynku pamięci DRAM od prawie trzech dekad, wprowadzając pionierskie innowacje w zakresie technologii tworzenia wzorców. Dzisiaj Samsung ustanawia kolejny kamień milowy w technologii wielowarstwowego EUV, który umożliwił ekstremalną miniaturyzację przy 14 nm procesie. Opierając się na tym postępie, będziemy nadal dostarczać najbardziej zróżnicowane rozwiązania pamięci, w pełni zaspokajając potrzebę większej wydajności i pojemności w opartym na danych świecie 5G, sztucznej inteligencji i metauniwersum

– powiedział Jooyoung Lee, starszy wiceprezes i szef działu produktów i technologii DRAM w Samsung Electronics.

Co zapewnią DRAM DDR5 Samsunga?

Wedle oficjalnych informacji, nowy pięciowarstwowy proces EUV firmy Samsung zapewnia najwyższą w branży gęstość bitów DRAM, zwiększając ogólny uzysk produkcyjny o około 20% z wafli krzemowych. Oznacza to tyle, że Samsungowi bardziej opłaca się produkować te kości poprzez minimalizację szans na powstanie układu z defektem. To sprawi, że finalnie rynek będzie otrzymywał jeszcze więcej z nich, co z kolei po czasie odbije się na dostępności modułów DDR5, a nawet ich cenie.

Czytaj też: Friz na celowniku UOKiK? Możliwe kary dla influencerów

Ten proces był również równoznaczny z obniżeniem zużycia energii o prawie 20% w porównaniu z węzłem DRAM poprzedniej generacji. To z kolei w praktyce i zgodnie z ideologią #PCMasterRace, zaowocuje wyższym potencjałem podkręcania, bo układy będą wymagały mniejszego napięcia przy wzbijaniu swoich zegarów wyżej i wyżej.

Czytaj też: Spójrzcie na nowe złącze zasilające PCIe 5.0 dla kart graficznych następnej generacji

Rzeczywiście, wykorzystując najnowszy standard DDR5, produkowane z wykorzystaniem najnowszego 14 nm procesu układy DRAM firmy Samsung będą mogły dobijać do 7,2 Gb/s, a nie 3,2 Gb/s, jak to w przypadku DDR4. Jest to jednak związane z samym przejściem na nową generację pamięci operacyjnej, a nie bezpośrednio ulepszonym 14-nm procesem technologicznym.