Jeszcze wydajniejsze i bardziej skomplikowane. Intel ma jasny plan na nowe procesory
Podczas targów ITF World 2023 Intel ujawnił nowy typ tranzystora o nazwie Stacked CFET, którego to zastosowanie ma zwiększyć ogólną gęstość tranzystorów w układzie półprzewodnikowym poprzez ułożenie ośmiu nanosheetów jeden na drugim. Oznacza to podwojenie liczby tych struktur względem tranzystorów typu RibbonFET, które wykorzystują cztery ułożone w stosy nanowarstwy i mają zadebiutować w 2024 roku w ramach technologii Intel 20A.
Czytaj też: Europejska Agencja Kosmiczna tworzy coś wyjątkowego. Ten procesor pomoże w podboju kosmosu
Zanim przejdziemy do szczegółów, warto wyjaśnić, że zarówno RibbonFET, jak i stacked CFET są typami tranzystorów typu gate-all-around (GAA), które otaczają kanał bramką ze wszystkich stron, umożliwiając lepszą kontrolę i wydajność niż stosowane powszechnie i od dłuższego czasu tranzystory FinFET. Typ RibbonFET wykorzystuje wspomniane nanowarstwy w formie materiału kanału, a jest to nic innego, jak wiele ułożonych w stos nanodrutów, których szerokość i wysokość można regulować w celu optymalizacji charakterystyki tranzystora.
Czytaj też: Apple może się już bać? Microsoft ma zamiar wejść w rynek procesorów
Wprawdzie w podejściu Stacked CFET Intel również wykorzystuje te warstwy, ale zamiast ograniczać się tylko do przewodnictwa tego samego typu (n lub p) może je układać zamienne (raz n, raz p), co ma przełożyć się na zwiększenie gęstości tranzystorów. To podejście może zmniejszyć powierzchnię i zużycie energii przez układy logiczne, eliminując potrzebę stosowania styków między urządzeniami typu n i p, które są wymagane w nadchodzących na rynek tranzystorach RibbonFET.
Czytaj też: Procesory 3 nm coraz bliżej. Poznaliśmy nowe szczegóły o układach przyszłości
Jakby tego było mało, Stacked CFET może poprawić wydajność i niezawodność obwodów logicznych poprzez wyeliminowanie występowania wewnętrznych oporów. Tyle tylko, że nie jest takie idealne, bo generuje kilka wyzwań produkcyjnych i jest narażone na problemy, które Intel musi rozwiązać w ciągu następnych lat, aby wprowadzić świat w nową erę procesorów krzemowych, co nastąpi zapewne w okolicy 2030 roku albo dopiero w następnej dekadzie. Na ten drugi scenariusz są zresztą większe szanse, zważywszy na aktualne plany Intela oraz fakt, że typ Stacked CFET jest obecnie jedną wielką niewiadomą, jeśli idzie o ogólne możliwości. Więcej na jego temat dowiemy się zapewne dopiero bliżej premiery.
