W świecie procesorów określanie procesów produkcyjnych mianem 14, 10, czy już panującego 7 nm procesu technologicznego jest powszechne. Na rynku pamięci dynamicznych (DRAM – Dynamic Random Access Memory) panuje jednak trend nazywania panujących obecnie 10nm układów literkami alfabetu i tak też po 1x, 1y i 1z nastał dla SK Hynix czas produkcji układów pamięci z wykorzystaniem procesu 1a nm.
1a nm DRAM są więc czwartą już generacją pamięci SK Hynix, która oczywiście przynosi wiele poprawek względem tej poprzedniej, ale sięga też nawet po niestosowane do tej pory metody produkcyjne. Co być może najważniejsze, choć masowa produkcja dopiero co ruszyła, plan obejmuje dostawy nowych DRAM producentom smartfonów jeszcze w tym roku. Nie wiemy jednak nic a nic o modelach, które mogą po nią sięgnąć.
Czytaj też: Kopanie na PlayStation 4 możliwe? Farma kryptowalut z 3800 PS4 zamknięta
Czym wyróżnia się produkcja 1a nm DRAM SK Hynix?
Zacznijmy może od tego, że po raz pierwszy SK Hynix wykorzystuje do produkcji swoich pamięci DRAM technologię EUV (Extreme Ultraviolet). Nic w tym dziwnego, bo każdy przeskok technologiczny wymaga doprecyzowania procesu produkcyjnego przy coraz to niższej i niższej skali.
EUV jest już powszechnie stosowane w fabrykach innych firm, umożliwiając “rysowanie” wzorów obwodów na powierzchni krzemu. Te wzory są następnie wyżerane przez odpowiednie roztwory kwasów, tworząc mikroskopijne ścieżki, które uzupełnia się tranzystorami. SK Hynix dopiero teraz dopieścił swoją technologię EV do tego stopnia, że jej stabilność zdała sprawdzian w masowej produkcji.
Czytaj też: Test dysku Silicon Power XD80 512 GB na PCIe 3.0×4
SK Hynix oczekuje, że nowa technologia przyniesie poprawę produktywności i jeszcze bardziej zwiększy konkurencyjność cenową. Wedle szacunków technologia 1a nm doprowadzi do 25% wzrostu liczby chipów DRAM produkowanych z tego samego rozmiaru wafla krzemowego w porównaniu z poprzednim węzłem 1z nm. To z kolei prawdopodobnie pomoże również złagodzić warunki podaży i popytu na światowych rynkach w następstwie globalnego wzrostu popytu na DRAM.
Dzięki zwiększonej produktywności i konkurencyjności kosztowej najnowsza pamięć DRAM 1 nm nie tylko pomoże zapewnić wysoką rentowność, ale także ugruntuje status SK hynix jako wiodącej firmy technologicznej dzięki wczesnemu przyjęciu technologii litografii EUV do masowej produkcji.– powiedział Cho Youngmann, wiceprezes SK Hynix.
Czytaj też: Nowe informacje o Ryzen Threadripper 5000 o nazwie kodowej Chagall
Pod kątem możliwości 1a nm DRAM działa stabilnie przy najszybszym transferze w specyfikacji mobilnych LPDDR4, bo na poziomie 4266 Mb/s, a nowy proces produkcyjny dodatkowo obniżył zużycie energii układów o 20%. Z tej samej technologii skorzystają pamięci DDR5 firmy.
