Dzięki półprzewodnikom 2D możemy doczekać się nowej ery układów obliczeniowych. Oto nowe tranzystory z rewolucyjnym potencjałem
W 1947 roku opracowano tranzystory, które stanowią podstawę obecnych procesorów centralnych (pierwszym był Intel 4004 z 1971 roku) i graficznych ( NVIDIA GeForce 256 z 1999 roku). Kiedy doczekamy się kolejnego tak ważnego kamienia milowego w rozwoju układów tego typu oraz ich podstaw? Zapewne nawet to przegapimy i dowiemy się o tym po kilku miesiącach, a może nawet latach, kiedy powstaną już pierwsze funkcjonalne i konsumenckie dzieła.
Czytaj też: Jeśli kiedyś roboty opanują Wasze ciało, ta metoda pozwoli je zobaczyć
![](/_next/image?url=https%3A%2F%2Fkonto.chip.pl%2Fuploads%2F2022%2F05%2Flozono-podwaliny-pod-nowe-tranzystory-z-rewolucyjnym-potencjalem-2.jpg&w=1600&q=85)
Zanim dojdzie do wykorzystania nowego tranzystora, trochę czasu zapewne minie, ale jeśli uda się rzeczywiście do tego doprowadzić, są szanse, że układy logiczne wejdą w nową erę. Do tej pory bowiem, mimo zalet dwuwymiarowych półprzewodników (przypisuje się im potencjał na zrewolucjonizowanie rynku), naukowcy nie wiedzieli, jak połączyć je z dielektrykami lub materiałami izolacyjnymi.
Czytaj też: Rozpoznawanie twarzy wzbudza kontrowersje, ale technologie będzie ponownie wprowadzana
Udało nam się obejść ograniczenia w integracji tlenku perowskitu o wysokim współczynniku κ i półprzewodników 2D, a nasze podejście może umożliwić niemal nieograniczone kombinacje materiałów. Ponadto stwierdziliśmy, że interfejs pomiędzy przeniesionymi tlenkami perowskitowymi o wysokim κ i MoS2 jest wysokiej jakości, ponieważ pozwoliło nam to na wytworzenie tranzystorów polowych o gwałtownych zboczach podprogowych– stwierdzili badacze.
Czytaj też: Rośnie stężenie helu w atmosferze. Co to oznacza w praktyce?
To właśnie się zmieniło i potencjał tego odkrycia zaprezentowano w praktyce, opracowując na tej bazie rewolucyjne tranzystory. Te mogą być wykorzystane do produkcji wysokowydajnych i energooszczędnych komplementarnych układów inwerterowych z półprzewodników metal-tlenkowych. W przyszłości ich urządzenia mogłyby być produkowane na dużą skalę i wykorzystywane do tworzenia układów logicznych i mikroprocesorów o mniejszym poborze mocy.