nowe tranzystory z rewolucyjnym potencjałem, nowe tranzystory

Położono podwaliny pod nowe tranzystory z rewolucyjnym potencjałem

W dzienniku Nature Electronics znajdziemy publikację naukowców z wielu uczelni (Nanyang Technological University, Peking University, Tsinghua University i Beijing Academy of Quantum Information Sciences), którzy wspólnymi siłami położyli podwaliny pod nowe tranzystory z rewolucyjnym potencjałem. Ich sukces sprowadza się do tego, że zdołali połączyć półprzewodnik 2D z jednokrystalicznym tytanianem strontu i tlenkiem perowskitu o wysokim współczynniku κ.

Dzięki półprzewodnikom 2D możemy doczekać się nowej ery układów obliczeniowych. Oto nowe tranzystory z rewolucyjnym potencjałem

W 1947 roku opracowano tranzystory, które stanowią podstawę obecnych procesorów centralnych (pierwszym był Intel 4004 z 1971 roku) i graficznych ( NVIDIA GeForce 256 z 1999 roku). Kiedy doczekamy się kolejnego tak ważnego kamienia milowego w rozwoju układów tego typu oraz ich podstaw? Zapewne nawet to przegapimy i dowiemy się o tym po kilku miesiącach, a może nawet latach, kiedy powstaną już pierwsze funkcjonalne i konsumenckie dzieła.

Czytaj też: Jeśli kiedyś roboty opanują Wasze ciało, ta metoda pozwoli je zobaczyć

Zanim dojdzie do wykorzystania nowego tranzystora, trochę czasu zapewne minie, ale jeśli uda się rzeczywiście do tego doprowadzić, są szanse, że układy logiczne wejdą w nową erę. Do tej pory bowiem, mimo zalet dwuwymiarowych półprzewodników (przypisuje się im potencjał na zrewolucjonizowanie rynku), naukowcy nie wiedzieli, jak połączyć je z dielektrykami lub materiałami izolacyjnymi.

Czytaj też: Rozpoznawanie twarzy wzbudza kontrowersje, ale technologie będzie ponownie wprowadzana

Udało nam się obejść ograniczenia w integracji tlenku perowskitu o wysokim współczynniku κ i półprzewodników 2D, a nasze podejście może umożliwić niemal nieograniczone kombinacje materiałów. Ponadto stwierdziliśmy, że interfejs pomiędzy przeniesionymi tlenkami perowskitowymi o wysokim κ i MoS2 jest wysokiej jakości, ponieważ pozwoliło nam to na wytworzenie tranzystorów polowych o gwałtownych zboczach podprogowych– stwierdzili badacze.

Czytaj też: Rośnie stężenie helu w atmosferze. Co to oznacza w praktyce?

To właśnie się zmieniło i potencjał tego odkrycia zaprezentowano w praktyce, opracowując na tej bazie rewolucyjne tranzystory. Te mogą być wykorzystane do produkcji wysokowydajnych i energooszczędnych komplementarnych układów inwerterowych z półprzewodników metal-tlenkowych. W przyszłości ich urządzenia mogłyby być produkowane na dużą skalę i wykorzystywane do tworzenia układów logicznych i mikroprocesorów o mniejszym poborze mocy.