micron

Pierwsze układy z DDR5 nie prędzej niż w 2020 roku.

Amerykańskie firmy Intel i Micron ogłosiły koniec trwającej od 2012 roku współpracy. Inicjatywa Intel-Micron Flash Technologies potrwa do przyszłego roku. Opracowana wspólnie technologia 3D XPoint, wykorzystywana w modułach Intel Optane, będzie jednak rozwijana dalej.

Zdaniem firmy Micron, moduły typu GDDR6 pozwolą na dość solidny overclocking. Żeby osiągnąć 20 Gbps wystarczy jedynie lekkie podniesienie napięcia.

Trochę czasu minie nim nowy typ pamięci zagości w komputerach. DDR5, rozwijane od dłuższego już czasu, będą energooszczędne, ale mogą okazać się tylko nieznacznie szybsze, lub nawet wolniejsze niż moduły DDR4. Przynajmniej na początku.

Micron sporo miejsca poświęca pamięciom GDDR6, a zupełnie pomijając jakiejkolwiek odmiany HBM.

Firmy Intel i Micron przedstawiły nowy, 20-nanometrowy proces technologiczny produkcji pamięci NAND flash oraz pierwszy, 8-gigabajtowy układ MLC NAND flash wykonany w tej technologii.

Spółka między Intelem a Micronem przygotowuje premierę nowych napędów Solid State Drive, wyposażonych w układy pamięci NAND Flash wytworzone w technologii 25 nanometrów.

Dziewięciu producentów układów scalonych ma zostać ukaranych przez Unię Europejską. Powodem są "nielegalne negocjacje między konkurującymi firmami w sprawie cen".

Pierwsza na świecie 25-nanometrowa technologia NAND to ekonomiczny sposób na zwiększenie ilości danych, zdjęć i piosenek w popularnych urządzeniach elektronicznych i komputerowych.

Intel i Micron mają wkrótce oficjalnie zaprezentować 25-nanometrowe układy pamięci flash. Układy będą montowane w dyskach SSD, odtwarzaczach multimedialnych i smartfonach.

Micron zaprezentował swój najnowszy dysk SSD – RealSSD C300. Według producenta, urządzenie jest pierwszym na rynku, które w pełni wykorzystuje interfejs SATA 6Gb/s.

Firmy Micron i Intel dumnie informują, że wyprodukowały pierwsze na świecie układy pamięci flash Multi-Level Cell NAND w technologii 34 nm, zapisujące po 3 bity w komórce.

Micron przedstawia wieloukładowy zestaw pamięci NAND, wytworzony w technologii 34 nanometrów, który oferując 16 GB pojemności, cechuje się największą gęstością zapisu na rynku.

Łącząc swoje siły, firmy Micron i Nanya zaprojektowały nowe niskonapięciowe moduły pamięci DDR2 DRAM, które pracując przy napięciu 1,2V, oszczędzają 50 procent energii.

Firmy Micron oraz Sun opracowały technologię, która umożliwia zwiększenie żywotności rozwiązań opartych na pamięci NAND flash do miliona cykli zapisu.

Nowa stacja SSD firmy Micron jest w stanie osiągnąć prędkość transferu danych 800 MB/s, co zarejestrowane jest na wideo. Producent obiecuje jednak jeszcze większą prędkość!

Proces technologiczny 34 nanometrów, w którym wytworzone są najnowsze 32 Gigabitowe pamięci flash, jest dotychczas najbardziej zaawansowaną technologią na rynku.

Co prawda na rynku są już lepsze czujniki o rozdzielczości 8 Megapikseli, ale żaden z nich nie jest w stanie nagrywać filmów w rozdzielczości High Definition.