Naukowcy z MIT stworzyli niesamowity tranzystor, który nie dość, że jest niezwykle cienki i szybki, to na dodatek superwytrzymały. Może być podstawą pamięci flash nowej generacji. W 2021 r. fizycy z MIT poinformowali o stworzeniu nowego ultracienkiego materiału ferroelektrycznego, czyli takiego, w którym ładunki dodatnie i ujemne są rozdzielona na różne warstwy. Zauważyli, że można […]